工作职责：

1、负责GaN系列材料光电器件外延研发工作，包含材料生长工艺开发及优化，器件结构设计开发及优化；

2、编写相关设计文档、工艺文档和标准化资料；

3、负责GaN相关器件的测试相关工作；

4、协助处理其他工作。

岗位要求：

1、硕士及以上学历，半导体物理、半导体器件、光电子学、器件、物理、化学、材料等理工科相关专业，2年以上GaN相关器件研发经验；

2、熟悉半导体器件相关知识，GaN半导体外延材料的生长原理和工艺流程；

3、至少1年以上GaN RF\FET器件研发经验，熟悉MOCVD设备操作；

4、吃苦耐劳，工作认真负责、较强的沟通能力和团队精神。